基本信息：柴晓杰，男，理学博士，副教授、硕士生导师。

研究方向：类脑器件与芯片、微纳传感器

教育背景及工作经历

【学习经历】

2017.09—2021.06  复旦大学，微电子学与固体电子学，理学博士。

2013.09—2016.04  西北工业大学，材料工程，工学硕士。

2008.09—2012.06  山西大同大学，物理学，理学学士。

【工作经历】

2026 至今             3044永利集团集团，永利3044集团官网，副教授。

2024 至今           山西转型综合改革示范区，博士后。

2021—2025           3044永利集团集团，永利3044集团官网，讲师。

      2016—2017           山西机电职业技术公司，材料工程系，助教。

荣誉获奖：

【荣誉称号】

上海市优秀毕业生

【科研获奖】

桑胜波、杨琨、柴晓杰、王峰、程永强，《传感原理与应用》，第三批国家一流课程（线下）。

科研项目及科研成果：

【主持课题】

1.山西省科学技术厅，山西省应用基础研究面上项目，202503021211035，2025.12-2028.12，10万元，在研，主持。

2.山西省科学技术厅，山西省重点研发计划项目子课题，202402060301004，2025.01-2027.12，15万元，在研，主持。

3.国家自然科学基金委员会，青年科学基金项目（C类），52203316，2023.01-2025.12，30万元，结题，主持。

4.中国博士后科学基金会，中国博士后科学基金面上项目，2024M762331，2024.12-2026.12，8万元，在研，主持。

5.山西省科学技术厅，山西省应用基础研究青年项目，20210302123068，2022.01-2024.12，4万元，结题，主持。

【发表论文】

1. Dingding Suo, Zeyu Yan, Wenping Geng, Yan Liu,3 Miaoru Wang, Xiaojie Chai*, Jianlong Ji* and Shengbo Sang*. Low-power flexible MXene-based resistive random access memory by oxygen plasma[J]. Applied Physics Letters, 2025, 127(22).

2. Xiaojie Chai, Zeyu Yan , Miaoru Wang , Jun Jiang, Dingding Suo, Yan Liu, Jianlong Ji,* Shengbo Sang*. High-performance multi-level memristor based on Ag NPs-doped MXene for reliable artificial synapse[J]. Chemical Engineering Journal, 2025: 168181.

3. Zhaoqun Wang, Wen Gao, Xiaorong Niu, Yuhang Liu, Zichen Jin, Fan Zhang, Zhengdong Cheng, Xiaoning Jiang, Wendong Zhang, Ting Wang, Jianlong Ji,* Xiaojie Chai,* and Shengbo Sang*. Ultra‐low LOD H₂O₂ Sensor Based on Synergistic Nernst Potential Effect[J]. Advanced Science, 2025: 2413898.

4. Xiaorong Niu, Zhaoqun Wang, Miaoru Wang, Jiafeng Yao, Xiaojie Chai,* Jianlong Ji,* Shengbo Sang*. A testable weighting factor for accurate analysis of the organic electrochemical transistors' transient response behavior[J]. Journal of Applied Physics, 2025, 137(11).

5. Jianlong Ji, Jing Xiao, Fan Zhang, Zhaoqun Wang, Tianyuan Zhou, Xiaorong Niu, Wendong Zhang, Shengbo Sang*; Xiaoojie Chai*, Sheng Yan*. A wearable enzyme sensor enabled by the floatinggate OECT with poly(benzimidazobenzophenanthroline) as the catalytic layer, Journal of Nanobiotechnology, 2025, 23(1).

6. Jianlong Ji, Jiahao Liu, Yifei Wang, Fan Zhang, Min Zhao, Sheng Yan, Xiaoliang Guo, Wendong Zhang, Shengbo Sang*, Xiaojie Chai*, Qijun Sun*. Liquid-Solid Heterojunction Constructing Bio-sensory Floating-gate OECTs, Nano Energy, 2024, 128: 109962.

7. Xiaojie Chai, Kaibin Zhang, Miaoru Wang, Shengbo Sang*, Xiaobing Hu*. Novel Pd-dopedCuO/Ti₃C₂T_x integrated nanocomposite with improved performance for low-concentration hexanal detection, Ceramics International, 2024, 51(2): 1918-1928.

8. Xiaobing Hu, Hao Chen, Dongxia Tian, Xiaorong Niu, Xiaojie Chai*, Shengbo Sang*, Strain investigation of PECVD passivation layer for ferroelectric domain wall random access memory, Journal of Alloys and Compounds, 2023, 960: 170767.

9. Xiaojie Chai, Jun Jiang, Qinghua Zhang, Xu Hou, Fanqi Meng, Jie Wang, Lin Gu, David Wei Zhang*. An Quan Jiang*; Nonvolatile ferroelectric field-effect transistors, Nature Communications, 2020, 11(1): 2811.

10. Xiaojie Chai, Jianwei Lian, Chao Wang, Xiaobing Hu, Jie Sun, Jun Jiang, Anquan Jiang*. Conductions through head-to-head and tail-to-tail domain walls in LiNbO₃ nanodevices. Journal of Alloys and Compounds, 2021, 873: 159837.

11. Anquan Jiang, Wenping Geng, Peng Lv, Jiawang Hongv Jun Jiang, Chao Wang, Xiaojie Chai, Jianwei Lian, Yan Zhang, Rong Huang, David Wei Zhang, James F. Scott, Cheol Seong Hwang*. Ferroelectric domain wall memory with embedded selector realized in LiNbO₃ single crystals integrated on Si wafers. Nature Materials, 2020, 19(11): 1188-1194.

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【授权专利】

[1] Anquan Jiang, Xiaojie Chai, Yan Zhang, THREE-DIMENSIONAL ON–VOLATILE FERROELECTRIC MEMORY, 2021.4-2038.12，美国发明专利，（授权）。

[2] 柴晓杰, 牛潇蓉, 冀健龙, 桑胜波, 姚佳烽, 张文栋，一种基于有机半导体的阻抗流式细胞仪，中国发明专利，（授权）。

[3] 柴晓杰, 索丁丁, 王淼儒, 冀健龙, 桑胜波, 席永红, 马佳楠, 王洪涛，一种原位氧化处理Mxene的忆阻器及其制备方法，中国发明专利，（申请）。

[4]  江安全，柴晓杰，张岩。一种低功耗三维非易失性存储器及其制备方法。中国发明专利，（授权）。

[5]  江安全，柴晓杰，江钧，连建伟，敖孟寒，一种非易失性铁电存储器及其制备方法。中国发明专利，（授权）。

[6]  江安全，柴晓杰，胡校兵，江钧，连建伟，蒋旭。一种可擦除全铁电场效应晶体管及其操作方法。中国发明专利，（授权）。

[7]  江安全，柴晓杰，汪超，江钧，张焱。一种集存算一体的全铁电场效应管。中国发明专利，（授权）。

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【其 他】

教材：桑胜波等，《现代传感技术与应用》，西安电子科技大学出版社，2023年，参编一章